\Section[
    \eng{Semiconductors}
    \ger{Halbleiter}
]{semic}
    \begin{formula}{types}
        \desc{Intrinsic/extrinsic}{}{$n,p$ \fqEqRef{cm:semic:charge_density_eq}}
        \desc[german]{Intrinsisch/Extrinsisch}{}{}
        \ttxt{
            \eng{
                Intrinsic: pure, electron density determiend only by thermal excitation and $n_i^2 = n_0 p_0$\\
                Extrinsic: doped
            }
            \ger{
                Intrirnsisch: Pur, Elektronendichte gegeben durch thermische Anregung und $n_i^2 = n_0 p_0$ \\
                Extrinsisch: gedoped
            }
        }
    \end{formula}

    \begin{formula}{charge_density_eq}
        \desc{Equilibrium charge densitites}{Holds when $\frac{\Econd-\EFermi}{\kB T}>3.6$ and $\frac{\EFermi-\Evalence}{\kB T} > 3.6$}{}
        \desc[german]{Ladungsträgerdichte im Equilibrium}{Gilt wenn $\frac{\Econd-\EFermi}{\kB T}>3.6$ und $\frac{\EFermi-\Evalence}{\kB T} > 3.6$}{}
        \eq{
            n_0 &\approx N_\text{c}(T) \Exp{-\frac{E_\text{c} - \EFermi}{\kB T}} \\
            p_0 &\approx N_\text{v}(T) \Exp{-\frac{\EFermi - E_\text{v}}{\kB T}} 
        }
    \end{formula}
    \begin{formula}{charge_density_intrinsic}
        \desc{Intrinsic charge density}{}{}
        \desc[german]{Intrinsische Ladungsträgerdichte}{}{}
        \eq{
            n_\text{i} \approx \sqrt{n_0 p_0} = \sqrt{N_\text{c}(T) N_\text{v}(T)} \Exp{-\frac{E_\text{gap}}{2\kB T}}
        }
    \end{formula}

    \begin{formula}{mass_action}
        \desc{Mass action law}{Charge densities at thermal equilibrium, independent of doping}{}
        \desc[german]{Massenwirkungsgesetz}{Ladungsträgerdichten im Equilibrium, unabhängig der Dotierung }{}
        \eq{np = n_i^2}
    \end{formula}

    
    \begin{tabular}{l|CCc}
        & \Egap(\SI{0}{\kelvin}) [\si{\eV}] & \Egap(\SI{300}{\kelvin}) [\si{\eV}] & \\ \hline
        \GT{diamond} & 5,48 & 5,47 & \GT{indirect} \\
        Si      & 1,17 & 1,12 & \GT{indirect} \\
        Ge      & 0,75 & 0,66 & \GT{indirect} \\
        GaP     & 2,32 & 2,26 & \GT{indirect} \\
        GaAs    & 1,52 & 1,43 & \GT{direct}   \\
        InSb    & 0,24 & 0,18 & \GT{direct}   \\
        InP     & 1,42 & 1,35 & \GT{direct}   \\
        CdS     & 2.58 & 2.42 & \GT{direct}
    \end{tabular}

    \begin{formula}{min_maj}
        \desc{Minority / Majority charge carriers}{}{}
        \desc[german]{Minoritäts- / Majoritätsladungstraäger}{}{}
        \ttxt{
            \eng{
                Majority carriers: higher number of particles ($e^-$ in n-type, $h^+$ in p-type)\\
                Minority carriers: lower number of particles  ($h^+$ in n-type, $e^-$ in p-type)
            }
            \ger{
                Majoritätsladungstraäger: höhere Teilchenzahl ($e^-$ in n-Typ, $h^+$ in p-Typ)\\
                Minoritätsladungsträger: niedrigere Teilchenzahl  ($h^+$ in n-Typ, $e^-$ in p-Typ)
            }
        }
    \end{formula}   





